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铸造单晶硅的缺陷研究
发布时间: 2018-11-26
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报告题目:铸造单晶硅的缺陷研究

报告人:杨德仁,浙江大学材料学院教授,中国科学院院士。

讲座时间:2018年11月29日下午14:30

地点:材料学院新楼308会议室


报告内容:太阳能光伏是重要的可再生能源,是国际上竞争激烈的高科技产业。在过去的10多年中,国际上太阳能光伏产业发展迅速,逐步壮大;而我国的太阳能光伏产业得到了国家的重视,快速发展,成为我国高科技产业的“亮点”。而硅晶体材料是太阳能光伏的主要基础材料,2017年约占国际市场的96%以上,对太阳能光伏产业的快速发展起到决定性的作用。常用的硅晶体生长技术包括直拉硅单晶和铸造多晶硅,各有技术、成本和市场的优缺点,其市场竞争非常激烈。而利用铸造技术制备单晶硅的铸造单晶硅技术引起了学术界、产业界的广泛重视,报告将介绍铸造单晶硅的研究历史、生长机理、研究进展,重点讨论目前遇到的单晶率、籽晶成本、材料利用率和位错缺陷等瓶颈问题,并探讨了其可能的解决方案。


报告人情况简介:浙江大学材料学院教授,中国科学院院士。现任硅材料国家重点实验室主任,半导体材料研究所所长,国家自然科学基金委创新研究群体、科技部重点领域创新团队、教育部长江学者创新团队负责人。兼任国家重大科技专项(02)总体专家组成员,中国可再生能源学会常务理事,光伏专业委员会副主任等。长期从事半导体硅材料的研究,涉及超大规模集成电路用硅材料,太阳能光伏硅材料、硅基光电子材料和纳米半导体材料。负责国家973、863、国家科技重大专项、国家自然科学基金重点、科技部、教育部和浙江省的重大、重点科技项目等。在半导体硅材料的晶体生长、缺陷工程和纳米结构的基础研究上取得重大成果,研究成果不仅产生一定的国际影响,而且在生产实际中产生重大经济效益。


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